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簡要描述:被動鎖模技術由于便于組裝, 操作簡單等優(yōu)點, 已被人們廣泛的應用于各類激光腔中來產(chǎn)生超短脈沖串。Eachwave專業(yè)提供被動鎖模器件BATOP半導體可飽和吸收鏡SESAM?:可飽和吸收鏡(SAM) ,可被安裝在寬譜激光腔中進行模式鎖定。通過可飽和吸收體的損耗機制,連續(xù)激光器中雜亂的多脈沖可以被調(diào)制成有規(guī)律的超短脈沖串。
產(chǎn)品分類
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品牌 | 其他品牌 | 供貨周期 | 一個月以上 |
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應用領域 | 電子 |
詳細介紹
BATOP半導體可飽和吸收鏡產(chǎn)品簡介:
被動鎖模技術由于便于組裝, 操作簡單等優(yōu)點, 已被人們廣泛的應用于各類激光腔中來產(chǎn)生超短脈沖串。Eachwave專業(yè)提供被動鎖模器件BATOP半導體可飽和吸收鏡SESAM:可飽和吸收鏡(SAM) ,可被安裝在寬譜激光腔中進行模式鎖定。通過可飽和吸收體的損耗機制,連續(xù)激光器中雜亂的多脈沖可以被調(diào)制成有規(guī)律的超短脈沖串。
可飽和吸收體在強光下被漂白,可以使大部分腔內(nèi)能量通過可飽和吸收體到達反射鏡,并再次反射回激光腔中;在弱光下,表現(xiàn)為吸收未飽和的特性,吸收掉所有入射光,有效的把這部分弱光從激光腔中去除掉,表現(xiàn)了調(diào) Q 鎖模的抑制作用。而且由于吸收掉了脈沖前沿部分,脈沖寬度在反射過程中會逐漸變窄。
Eachwave推出的半導體可飽和吸收鏡SESAM包含一個布拉格反射鏡(Bragg-mirror)生長在基底上(如GaAs晶圓),然后可飽和吸收層做在布拉格反射鏡上。盡管半導體可飽和吸收鏡已經(jīng)被廣泛的用于各種激光腔中進行模式鎖定,但是SAM的應用還是要根據(jù)具體情況被精確地設計,如不同的激光器具有不同損耗,增益譜,腔內(nèi)功率等等,可飽和吸收體的參數(shù)都需要跟這些參數(shù)相匹配。
BATOP 是激光被動鎖模器件-可飽和吸收體的專業(yè)供應商??娠柡臀债a(chǎn)品集合了各式各樣的不同的器件,包括可飽和吸收鏡(SESAM),可飽和輸出耦合鏡(SOC),共振可飽和吸收鏡RSAM,可飽和噪聲抑制器SANOS,和用于透過應用的可飽和吸收體(SA)。迄今為止,可飽和吸收產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了800nm到2.6μm的常用激光波長范圍;封裝形式多樣,可適用于不同激光系統(tǒng)結構。
半導體可飽和吸收鏡SESAM產(chǎn)品
Wavelength region 790 nm ... 830 nm: 800 nm
Wavelength region 910 nm ... 990 nm: 940 nm | 980 nm
Wavelength region 1020 nm ... 1150 nm: 1040 nm | 1064 nm | 1100 nm
Wavelength region 1110 nm ... 1320 nm: 1150 nm | 1300 nm
Wavelength region 1320 nm ... 1460 nm: 1340 nm | 1420 nm
Wavelength region 1470 nm ... 1660 nm: 1510 nm | 1550 nm | 1645 nm
Wavelength region 1900 nm ... 3200 nm: 2000 nm | 2150 nm | 2400 nm | 3000 nm
查看最新SESAM型號:SESAM半導體可飽和吸收鏡 屹持光電德國BATOP
半導體可飽和吸收鏡的不同封裝形式
規(guī)格型號: | 描述 |
SAM-λ-A-τ-x | λ=波長,A=吸收率,τ=弛豫時間,x=封裝形式 |
x =4.0-0 | •裸芯片,芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm |
x = 1.0b-0 | •一盒,4個裸芯片,芯片尺寸1.0 mm x 1.0 mm |
x = 1.3b-0 | •一盒,4個裸芯片,芯片尺寸1.3mm x 1.3 mm |
x = 4.0-12.7g-c / 4.0-12.7g-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,粘合在直徑12.7 mm的銅散熱基底 •中心安裝:x = 4.0-12.7g-c •邊緣安裝:x = 4.0-12.7g-e |
x = 4.0-12.7s-c / 4.0-12.7s-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,焊接在直徑12.7 mm的銅散熱基底 •中心安裝:x = 4.0-12.7s-c •邊緣安裝:x = 4.0-12.7s-e |
x = 4.0-25.0g-c / 4.0-25.0g-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,粘合在直徑25.0mm的銅散熱基底 •中心安裝:x = 4.0-25.0g-c •邊緣安裝:x = 4.0-25.0g-e |
x = 4.0-25.0s-c / 4.0-25.0s-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,焊接在直徑25.0mm的銅散熱基底 •中心安裝:x = 4.0-25.0s-c •邊緣安裝:x = 4.0-25.0s-e |
x = 4.0-25.4g-c / 4.0-25.4g-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,粘合在直徑25.4mm的銅散熱基底 •中心安裝:x = 4.0-25.4g-c •邊緣安裝:x = 4.0-25.4g-e |
x = 4.0-25.4s-c / 4.0-25.4s-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,焊接在直徑25.4mm的銅散熱基底 •中心安裝:x = 4.0-25.4s-c •邊緣安裝:x = 4.0-25.4s-e |
x = 4.0-25.0w-c / 4.0-25.0w-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm,焊接在水冷銅散熱片上,直徑25.0 mm •中心安裝:x = 4.0-25.0w-c •邊緣安裝:x = 4.0-25.0w-e |
x = 4.0-25.0h-c / 4.0-25.0h-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,薄膜焊接在水冷銅散熱器上,直徑25.0 mm,適用于高功率應用。 •中心安裝:x = 4.0-25.0h-c •邊緣安裝:x = 4.0-25.0h-e |
x = FC/PC或者 FC/APC | •安裝在1米長的單模光纖上。 •可用光纖:HI 980,HI 1060,Panda SM98-PS-U25A •FC / PC接頭:x = FC / PC •FC / APC接頭:x = FC / APC |
訂購示例 | SAM-1064-2-1ps-4.0-0,SAM-1064-2-1ps-FC/PC- HI1060 |
附件: | |
FM-1.3 | 1.3芯片專用散熱底座 |
PHS | 光纖耦合封裝專用散熱底座 |
>> 裸片SAM
標準 | 可選項 | |
GaAs芯片尺寸 | 4mm×4mm | 其他尺寸可選 |
芯片厚度 | 400um | 150um |
芯片背面 | 原切/磨砂 | 拋光可選 |
SESAM正面鍍保護電解質(zhì)膜 |
>> 光纖耦合封裝半導體可飽和吸收鏡SAM
• GaAs 芯片尺寸:1 mm x 1 mm 或1.3 mm x 1.3 mm
• 芯片厚度:450 µm
• 芯片背面 :原切/磨砂
• SESAM芯片正面鍍保護電解質(zhì)膜
>> 光纖封裝可飽和吸收鏡SAM,帶散熱底座
• SAM與FC/PC接口的光纖頭之間的鏈接可以輕松拆卸,利用這個封裝,可以在一臺激光器上就實現(xiàn)測試多個SAM性能的目的。
• 當SAM表面有不幸損傷,可以輕松換芯片,所以再次實驗可以用同樣的的SAM芯片。
>> 帶有散熱底座的自由空間可飽和吸收鏡SAM
• GaAs 芯片尺寸 4 mm x 4 mm
• 芯片厚度 450 µm 150um可選
• 芯片背面 原切/磨砂
• SESAM芯片正面鍍保護電解質(zhì)膜
• SESAM 固定在半英寸/一英寸的Cu底座上
>> 帶有水冷封裝的可飽和吸收鏡SAM
• GaAs 芯片尺寸: 4 mm x 4 mm
• 芯片厚度 :450 µm
• 芯片背面:原切/磨砂
• SESAM芯片正面鍍保護電解質(zhì)膜
• SESAM 鍍金的Cu底座上,并帶有水冷裝置
>> 帶有光纖封裝的可飽和吸收鏡SAM
• GaAs 芯片尺寸: 4 mm x 4 mm
• 芯片厚度 :450 µm
• SAM芯片用膠粘在一個單模光纖一端,光纖接頭FC/APC,其他接頭類型可選
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